MMIX1F520N075T2 - IXYS

Numéro d'article	MMIX1F520N075T2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	75V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	500A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 8mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	545nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	41000pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	24-SMPD
Paquet / cas	24-PowerSMD, 21 Leads
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MMIX1F132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A SMPD	Détails
MMIX1F160N30T	IXYS	MOSFET N-CH 300V 102A SMPD	Détails
MMIX1F180N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 130A SMPD	Détails
MMIX1F210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A MMIX	Détails
MMIX1F230N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 168A SMPD	Détails
MMIX1F360N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 235A	Détails
MMIX1F40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD	Détails
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MMIX1F44N100Q3	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A	Détails
MMIX1F520N075T2	IXYS	MOSFET N-CH 75V 500A	Détails