IPW65R280E6FKSA1

IPW65R280E6FKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPW65R280E6FKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
42815 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPW65R280E6FKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPW65R280E6FKSA1
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 440µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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