| 부품 번호 | IPW65R280E6FKSA1 |
|---|---|
| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 650V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 13.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 440µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 45nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 950pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 104W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | PG-TO247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IPW65R019C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3 | 세부 |
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IPW65R037C6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | 세부 |
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IPW65R041CFD | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | 세부 |
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IPW65R041CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 | 세부 |
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IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | 세부 |
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IPW65R045C7300XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 세부 |
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IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 | 세부 |
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IPW65R048CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 세부 |
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IPW65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | 세부 |
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IPW65R070C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247 | 세부 |
