IPW65R041CFDFKSA1

IPW65R041CFDFKSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPW65R041CFDFKSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
11410 pcs
Referenzpreis
USD 14.43/pcs
Unser Preis
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IPW65R041CFDFKSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPW65R041CFDFKSA1
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 68.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 41 mOhm @ 33.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 3.3mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Fall TO-247-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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