IPD60R450E6BTMA1

IPD60R450E6BTMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
IPD60R450E6BTMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
28280 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IPD60R450E6BTMA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IPD60R450E6BTMA1
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gewicht -
Ursprungsland -

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