IPD60R450E6BTMA1

IPD60R450E6BTMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPD60R450E6BTMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
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28280 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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IPD60R450E6BTMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPD60R450E6BTMA1
État de la pièce Discontinued at Digi-Key
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 9.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 100V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 74W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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