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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › IPD60R180P7ATMA1
IPD60R180P7ATMA1

IPD60R180P7ATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
IPD60R180P7ATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
IPD60R180P7ATMA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
22375 pcs
Prix ​​de référence
USD 1.1631/pcs
Notre prix
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IPD60R180P7ATMA1 Description détaillée

Numéro d'article IPD60R180P7ATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 18A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 280µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1081pF @ 400V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 72W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 5.6A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TO252-3
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids -
Pays d'origine -

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