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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FD1000R17IE4BOSA2
FD1000R17IE4BOSA2

FD1000R17IE4BOSA2 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FD1000R17IE4BOSA2
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FD1000R17IE4BOSA2 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
297 pcs
Referenzpreis
USD 550.89/pcs
Unser Preis
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FD1000R17IE4BOSA2 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FD1000R17IE4BOSA2
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1700V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) -
Leistung max 6250W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor Yes
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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