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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - IGBT - 모듈 › FD1000R17IE4BOSA2
FD1000R17IE4BOSA2

FD1000R17IE4BOSA2 - Infineon Technologies

부품 번호
FD1000R17IE4BOSA2
제조사
Infineon Technologies
간단한 설명
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
FD1000R17IE4BOSA2 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - IGBT - 모듈
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
297 pcs
참고 가격
USD 550.89/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

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FD1000R17IE4BOSA2 상세 설명

부품 번호 FD1000R17IE4BOSA2
부품 상태 Active
IGBT 형 -
구성 Single
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) -
전력 - 최대 6250W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 1000A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) 5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 81nF @ 25V
입력 Standard
NTC 서미스터 Yes
작동 온도 -40°C ~ 150°C
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 Module
공급 업체 장치 패키지 Module
무게 -
원산지 -

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