| Numero di parte | FD1000R17IE4BOSA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo IGBT | - |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | - |
| Potenza - Max | 6250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 1000A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 5mA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 81nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | Yes |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | Module |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
FD1000015 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Dettagli |
|
FD1000016 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Dettagli |
|
FD1000017 | Diodes Incorporated | OSCILLATOR XO 10.000MHZ CMOS SMD | Dettagli |
 |
FD1000C | SONY | FD1000C SONY NEW Q.. New Original Stocks | Dettagli |
|
FD1000R17IE4BOSA2 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Dettagli |
|
FD1000R17IE4DB2BOSA1 | Infineon Technologies | MODULE IGBT PRIME3-1 | Dettagli |
|
FD1000R33HE3KBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Dettagli |
|
FD1000R33HL3KBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 1700V 1000A | Dettagli |
