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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - IGBTs - Module › FD1000R33HE3KBPSA1
FD1000R33HE3KBPSA1

FD1000R33HE3KBPSA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer
FD1000R33HE3KBPSA1
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
FD1000R33HE3KBPSA1 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
72 pcs
Referenzpreis
USD 2198.44/pcs
Unser Preis
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FD1000R33HE3KBPSA1 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer FD1000R33HE3KBPSA1
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Dual Brake Chopper
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 3300V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1000A
Leistung max 11500W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1000A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 190nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Module
Lieferantengerätepaket Module
Gewicht -
Ursprungsland -

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