BSZ123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Artikelnummer	BSZ123N08NS3GATMA1
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 40V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PG-TSDSON-8
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	BSZ123N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8	Einzelheiten
	BSZ123N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8	Einzelheiten