BSZ123N08NS3 G detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
BSZ123N08NS3 G |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
10A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 33µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
25nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1700pF @ 40V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
2.1W (Ta), 66W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
12.3 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
PG-TSDSON-8 |
Paket / Fall |
8-PowerVDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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