BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

номер части
BSZ123N08NS3GATMA1
производитель
Infineon Technologies
Краткое описание
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Онлайн-просмотр данных
BSZ123N08NS3GATMA1 Просмотр PDF в Интернете
Скачать PDF-файл
-
категория
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
Срок поставки
1 Day
Код даты
New
Количество на складе
309777 pcs
Справочная цена
USD 0.53151/pcs
Наша цена
Отправить по электронной почте: [email protected]

Пожалуйста, заполните форму ниже, чтобы запросить котировку BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 Подробное описание

номер части BSZ123N08NS3GATMA1
Статус детали Active
Тип полевого транзистора N-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 80V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Макс.) ±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 1700pF @ 40V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика PG-TSDSON-8
Упаковка / чехол 8-PowerVDFN
Вес -
Страна происхождения -

СВЯЗАННЫЕ ПРОДУКТЫ ДЛЯ BSZ123N08NS3GATMA1