BSZ123N08NS3GATMA1

BSZ123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BSZ123N08NS3GATMA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
309777 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.53151/pcs
Notre prix
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BSZ123N08NS3GATMA1 Description détaillée

Numéro d'article BSZ123N08NS3GATMA1
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 66W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur PG-TSDSON-8
Paquet / cas 8-PowerVDFN
Poids -
Pays d'origine -

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