BSZ123N08NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article	BSZ123N08NS3GATMA1
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Ta), 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 33µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1700pF @ 40V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.1W (Ta), 66W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	BSZ123N08NS3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8	Détails
	BSZ123N08NS3GATMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON-8	Détails