MBR200100CTS - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	MBR200100CTS
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	2 Independent
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	950mV @ 100A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	10µA @ 80V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-40°C ~ 175°C
Befestigungsart	Screw Mount
Paket / Fall	SOT-227-4
Lieferantengerätepaket	SOT-227
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MBR200100	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Einzelheiten
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Einzelheiten
MBR200100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Einzelheiten
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A SOT227	Einzelheiten
MBR200150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR200150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR20020	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Einzelheiten
MBR200200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR200200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER	Einzelheiten