MBR200100CT - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	MBR200100CT
Teilstatus	Active
Diodenkonfiguration	1 Pair Common Cathode
Dioden-Typ	Schottky
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode)	200A (DC)
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If	840mV @ 100A
Geschwindigkeit	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr)	-
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr	5mA @ 20V
Betriebstemperatur - Kreuzung	-
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	Twin Tower
Lieferantengerätepaket	Twin Tower
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
MBR200100	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Einzelheiten
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Einzelheiten
MBR200100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Einzelheiten
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A SOT227	Einzelheiten
MBR200150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR200150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR20020	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Einzelheiten
MBR200200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR200200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Einzelheiten
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER	Einzelheiten