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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Diodes - Redresseurs - Matrices › MBR200100CT
MBR200100CT

MBR200100CT - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article
MBR200100CT
Fabricant
GeneSiC Semiconductor
Brève description
DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
MBR200100CT Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
MBR200100CT.pdf
Catégorie
Diodes - Redresseurs - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
519 pcs
Prix ​​de référence
USD 49.3132/pcs
Notre prix
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MBR200100CT Description détaillée

Numéro d'article MBR200100CT
État de la pièce Active
Configuration de diode 1 Pair Common Cathode
Type de diode Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode) 200A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 840mV @ 100A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) -
Courant - Fuite inverse @ Vr 5mA @ 20V
Température de fonctionnement - Jonction -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Twin Tower
Package de périphérique fournisseur Twin Tower
Poids -
Pays d'origine -

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