MBR200100CTS - GeneSiC Semiconductor

Numéro d'article	MBR200100CTS
État de la pièce	Active
Configuration de diode	2 Independent
Type de diode	Schottky
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	100V
Courant - Rectifié moyen (Io) (par diode)	200A (DC)
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	950mV @ 100A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	-
Courant - Fuite inverse @ Vr	10µA @ 80V
Température de fonctionnement - Jonction	-40°C ~ 175°C
Type de montage	Screw Mount
Paquet / cas	SOT-227-4
Package de périphérique fournisseur	SOT-227
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
MBR200100	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Détails
MBR200100CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Détails
MBR200100CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER	Détails
MBR200100CTS	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 100V 200A SOT227	Détails
MBR200150CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Détails
MBR200150CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER	Détails
MBR20020	MCC	200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier	Détails
MBR200200CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Détails
MBR200200CTR	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER	Détails
MBR20020CT	GeneSiC Semiconductor	DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER	Détails