| Artikelnummer | MBR200200CTR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Anode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 100A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 100A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 3mA @ 200V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Twin Tower |
| Lieferantengerätepaket | Twin Tower |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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MBR200100 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Einzelheiten |
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MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Einzelheiten |
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MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Einzelheiten |
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