GA05JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Artikelnummer	GA05JT12-247
Teilstatus	Active
FET Typ	-
Technologie	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	1200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	-
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	106W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 5A
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-247AB
Paket / Fall	TO-247-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
GA05JT01-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 100V 9A	Einzelheiten
GA05JT03-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 300V 9A	Einzelheiten
GA05JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 5A	Einzelheiten
GA05JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 15A	Einzelheiten