GA05JT01-46 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
GA05JT01-46 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
- |
Technologie |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
- |
Vgs (th) (Max) @ Id |
- |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
- |
Vgs (Max) |
- |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
20W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
240 mOhm @ 5A |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 225°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
TO-46 |
Paket / Fall |
TO-46-3 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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