GA05JT12-247 - GeneSiC Semiconductor

Numero di parte	GA05JT12-247
Stato parte	Active
Tipo FET	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 5A
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247AB
Pacchetto / caso	TO-247-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
GA05JT01-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 100V 9A	Dettagli
GA05JT03-46	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 300V 9A	Dettagli
GA05JT12-247	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 5A	Dettagli
GA05JT12-263	GeneSiC Semiconductor	TRANS SJT 1200V 15A	Dettagli