Artikelnummer | FDMD84100 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
FET-Eigenschaft | Standard |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 980pF @ 50V |
Leistung max | 2.1W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-PQFN (3.3x5) |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |