Artikelnummer | FDM606P |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.92W (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-MLP, MicroFET (3x2) |
Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |