FDM606P - Fairchild/ON Semiconductor

Artikelnummer	FDM606P
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.92W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-MLP, MicroFET (3x2)
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDM100-0045SP	IXYS	MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5	Einzelheiten
FDM15-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5	Einzelheiten
FDM21-05QC	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5	Einzelheiten
FDM2452NZ	FAIRCHIL	FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks	Einzelheiten
FDM2509NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP	Einzelheiten
FDM3300NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET	Einzelheiten
FDM3622	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP	Einzelheiten
FDM47-06KC5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5	Einzelheiten
FDM606P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET	Einzelheiten
FDM6296	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33	Einzelheiten