• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › FDM606P
FDM606P

FDM606P - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FDM606P
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FDM606P PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
FDM606P.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4187 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください FDM606P

FDM606P 詳細な説明

品番 FDM606P
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.8A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 1.8V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id 1.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 30nC @ 4.5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2200pF @ 10V
Vgs（最大） ±8V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.92W (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 8-MLP, MicroFET (3x2)
パッケージ/ケース 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
重量 -
原産国 -

関連製品 FDM606P

画像 品番 メーカー 説明 見る
FDM100-0045SP FDM100-0045SP IXYS MOSFET N-CH 55V 100A I4-PAC-5 詳細
FDM15-06KC5 FDM15-06KC5 IXYS MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC-5 詳細
FDM21-05QC FDM21-05QC IXYS MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 詳細
FDM2452NZ FDM2452NZ FAIRCHIL FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks 詳細
FDM2509NZ FDM2509NZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP 詳細
FDM3300NZ FDM3300NZ Fairchild/ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 10A MCRFET 詳細
FDM3622 FDM3622 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP 詳細
FDM47-06KC5 FDM47-06KC5 IXYS MOSFET N-CH 600V 47A I4-PAC-5 詳細
FDM606P FDM606P Fairchild/ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET 詳細
FDM6296 FDM6296 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33 詳細