FDM21-05QC - IXYS

Artikelnummer	FDM21-05QC
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	500V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	21A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	-
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 15A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Fall	i4-Pac™-5
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
FDM21-05QC	IXYS	MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5	Einzelheiten
FDM2452NZ	FAIRCHIL	FDM2452NZ FAIRCHIL QFN New Original Stocks	Einzelheiten
FDM2509NZ	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP	Einzelheiten