FDM15-06KC5 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
FDM15-06KC5 |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
15A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
3.5V @ 790µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
52nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
2000pF @ 100V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
- |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
165 mOhm @ 12A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
ISOPLUS i4-PAC™ |
Paket / Fall |
i4-Pac™-5 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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