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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › EPC2102ENGRT
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2102ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
MOSFET ARRAY 2N-CH 60V DIE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2102ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
5140 pcs
Referenzpreis
USD 5.2173/pcs
Unser Preis
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EPC2102ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2102ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 23A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 4.4 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 7mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 30V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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