EPC2102ENGRT Description détaillée
| Numéro d'article |
EPC2102ENGRT |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Caractéristique |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
23A (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
4.4 mOhm @ 20A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 7mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
6.8nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
830pF @ 30V |
| Puissance - Max |
- |
| Température de fonctionnement |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Paquet / cas |
Die |
| Package de périphérique fournisseur |
Die |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR EPC2102ENGRT
.jpg "EPC2001")
.jpg "EPC2007")
