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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays › EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT - EPC

Artikelnummer
EPC2101ENGRT
Hersteller
EPC
Kurze Beschreibung
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EPC2101ENGRT PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4963 pcs
Referenzpreis
USD 5.2514/pcs
Unser Preis
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EPC2101ENGRT detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EPC2101ENGRT
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 9.5A, 38A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V
Leistung max -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall Die
Lieferantengerätepaket Die
Gewicht -
Ursprungsland -

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