• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2101ENGRT
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT - EPC

品番
EPC2101ENGRT
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2101ENGRT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4920 pcs
参考価格
USD 5.2514/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT 詳細な説明

品番 EPC2101ENGRT
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 9.5A, 38A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 2mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 2.7nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 300pF @ 30V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

関連製品 EPC2101ENGRT

画像 品番 メーカー 説明 見る
EPC2001 EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE 詳細
EPC2001C EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE 詳細
EPC2007 EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 詳細
EPC2007C EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE 詳細
EPC2010 EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE 詳細
EPC2010C EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 詳細
EPC2010CENGR EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE 詳細
EPC2012 EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE 詳細
EPC2012C EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 詳細
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE 詳細