EPC2022ENGRT detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
EPC2022ENGRT |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
90A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 12mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
13nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1400pF @ 50V |
Vgs (Max) |
+6V, -4V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
- |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
3.2 mOhm @ 25A, 5V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
Die |
Paket / Fall |
Die |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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