| 부품 번호 | EPC2022ENGRT |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 90A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 12mA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 13nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1400pF @ 50V |
| Vgs (최대) | +6V, -4V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 25A, 5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | Die |
| 패키지 / 케이스 | Die |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
.jpg "EPC2001") |
EPC2001 | EPC | TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE | 세부 |
|
EPC2001C | EPC | TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE | 세부 |
.jpg "EPC2007") |
EPC2007 | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 세부 |
|
EPC2007C | EPC | TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2010 | EPC | TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2010C | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2010CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2012 | EPC | TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2012C | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 세부 |
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EPC2012CENGR | EPC | TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE | 세부 |
