| Artikelnummer | MBR2060CT-G1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
| Dioden-Typ | Schottky |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 810mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 60V |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
MBR200100 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Einzelheiten |
 |
MBR200100CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Einzelheiten |
|
MBR200100CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 2TOWER | Einzelheiten |
 |
MBR200100CTS | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A SOT227 | Einzelheiten |
|
MBR200150CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Einzelheiten |
|
MBR200150CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER | Einzelheiten |
|
MBR20020 | MCC | 200 Amp Rectifier 20 to 100 Volts Schottky Barrier | Einzelheiten |
|
MBR200200CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Einzelheiten |
|
MBR200200CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 200V 100A 2 TOWER | Einzelheiten |
|
MBR20020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER | Einzelheiten |
