DMN5L06WKQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN5L06WKQ-7
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	1.8V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	250mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-323
Paket / Fall	SC-70, SOT-323
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMN5010VAK	DIODES	DMN5010VAK DIODES SOT563 New Original Stocks	Einzelheiten
DMN5010VAK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563	Einzelheiten
DMN5040LSS-13	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 41V-60V SO-8 TR 2	Einzelheiten
DMN53D0L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	Einzelheiten
DMN53D0L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	Einzelheiten
DMN53D0LDW-13	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	Einzelheiten
DMN53D0LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	Einzelheiten
DMN53D0LQ-13	Diodes Incorporated	MOSFET NCH 50V 500MA SOT23	Einzelheiten
DMN53D0LQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	Einzelheiten
DMN53D0LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V SOT323	Einzelheiten