DMN5L06WKQ-7 - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN5L06WKQ-7
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	50V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	300mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2 Ohm @ 50mA, 5V
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	SOT-323
Paquet / cas	SC-70, SOT-323
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN5010VAK	DIODES	DMN5010VAK DIODES SOT563 New Original Stocks	Détails
DMN5010VAK-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563	Détails
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DMN53D0LDW-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363	Détails
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DMN53D0LQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23	Détails
DMN53D0LW-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 50V SOT323	Détails