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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMN53D0LW-13
DMN53D0LW-13

DMN53D0LW-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN53D0LW-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET N-CH 50V SOT323
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN53D0LW-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
690984 pcs
Referenzpreis
USD 0.0391/pcs
Unser Preis
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DMN53D0LW-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN53D0LW-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 360mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45.8pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 320mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 270mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Gewicht -
Ursprungsland -

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