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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › DMN53D0LQ-13
DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMN53D0LQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET NCH 50V 500MA SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
DMN53D0LQ-13 PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
500650 pcs
Referenzpreis
USD 0.0538/pcs
Unser Preis
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DMN53D0LQ-13 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMN53D0LQ-13
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 370mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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