DMN2990UFO-7B detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
DMN2990UFO-7B |
Teilstatus |
Active |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
750mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
1.5V, 4.5V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
990 mOhm @ 100mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
0.41nC @ 4.5V |
Vgs (Max) |
±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
31pF @ 15V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
840mW (Ta) |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
X2-DFN0604-3 |
Paket / Fall |
3-XFDFN |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
VERWANDTE PRODUKTE FÜR DMN2990UFO-7B