DMN2990UFO-7B - Diodes Incorporated

Numero di parte	DMN2990UFO-7B
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	840mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	X2-DFN0604-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
DMN2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963	Dettagli
DMN2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Dettagli
DMN2990UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.51A	Dettagli
DMN2990UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006-	Dettagli
DMN2990UFO-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604	Dettagli
DMN2990UFZ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606	Dettagli