DMN2990UFO-7B - Diodes Incorporated

Numéro d'article	DMN2990UFO-7B
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	750mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	0.41nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	31pF @ 15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	840mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	X2-DFN0604-3
Paquet / cas	3-XFDFN
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
DMN2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963	Détails
DMN2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Détails
DMN2990UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.51A	Détails
DMN2990UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006-	Détails
DMN2990UFO-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604	Détails
DMN2990UFZ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606	Détails