DMN2990UDJQ-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMN2990UDJQ-7
Teilstatus	Active
FET Typ	2 N-Channel
FET-Eigenschaft	Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	450mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	27.6pF @ 16V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SOT-963
Lieferantengerätepaket	SOT-963
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMN2990UDJ-7	Diodes Incorporated	MOSFET 2N-CH 20V 0.45A SOT-963	Einzelheiten
DMN2990UDJQ-7	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT963	Einzelheiten
DMN2990UFA-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 0.51A	Einzelheiten
DMN2990UFB-7B	Diodes Incorporated	MOSFET BVDSS 8V-24V X1-DFN1006-	Einzelheiten
DMN2990UFO-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604	Einzelheiten
DMN2990UFZ-7B	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606	Einzelheiten