DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7 - Diodes Incorporated

Artikelnummer
DMG3407SSN-7
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
382500 pcs
Referenzpreis
USD 0.1139/pcs
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DMG3407SSN-7 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer DMG3407SSN-7
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.1A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-59
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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