DMG3407SSN-7 - Diodes Incorporated

номер части	DMG3407SSN-7
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	4A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	16nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	700pF @ 15V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	1.1W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	50 mOhm @ 4.1A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	SC-59
Упаковка / чехол	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
DMG301NU-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	подробности
DMG301NU-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	подробности
DMG302PU-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	подробности
DMG302PU-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	подробности
DMG3401LSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3A SC59	подробности
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	подробности
DMG3404L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	подробности
DMG3404L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	подробности
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	подробности
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	подробности