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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › DMG3407SSN-7
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7 - Diodes Incorporated

Número de pieza
DMG3407SSN-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
MOSFET P-CH 30V 4A SC59
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
382500 pcs
Precio de referencia
USD 0.1139/pcs
Nuestro precio
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DMG3407SSN-7 Descripción detallada

Número de pieza DMG3407SSN-7
Estado de la pieza Active
Tipo de FET P-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 4.1A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor SC-59
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso -
País de origen -

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