DMG3404L-13 - Diodes Incorporated

Artikelnummer	DMG3404L-13
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	4.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	641pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	780mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SOT-23
Paket / Fall	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
DMG301NU-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	Einzelheiten
DMG301NU-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 25V .26A SOT-23	Einzelheiten
DMG302PU-13	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	Einzelheiten
DMG302PU-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 25V .17A SOT-23	Einzelheiten
DMG3401LSN-7	Diodes Incorporated	MOSFET P-CH 30V 3A SC59	Einzelheiten
DMG3402L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4A SOT23	Einzelheiten
DMG3404L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	Einzelheiten
DMG3404L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23	Einzelheiten
DMG3406L-13	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	Einzelheiten
DMG3406L-7	Diodes Incorporated	MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23	Einzelheiten