Artikelnummer | CTLDM7590 TR |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 140mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.5nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 15V |
Vgs (Max) | 8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 125mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TLM3D6D8 |
Paket / Fall | 3-XFDFN |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |