| Artikelnummer | CTLDM7120-M621H TR |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 10V |
| Vgs (Max) | 8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TLM621H |
| Paket / Fall | 6-XFDFN Exposed Pad |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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CTLDM7002A-M621 BK | Central Semiconductor Corp | MOSFET N-CH 60V DFN6 | Einzelheiten |
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