CTLDM7120-M621H BK - Central Semiconductor Corp

Artikelnummer	CTLDM7120-M621H BK
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)	8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	1.6W (Ta)
Betriebstemperatur	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TLM621H
Paket / Fall	6-XFDFN Exposed Pad
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
CTLDM7002A-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7002A-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 60V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7003-M621 BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7003-M621 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 50V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7120-M621H BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V DFN6	Einzelheiten
CTLDM7120-M621H TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 20V 1A	Einzelheiten
CTLDM7120-M832DS BK	Central Semiconductor Corp	MOSFET DUAL N-CHANNEL	Einzelheiten
CTLDM7120-M832DS TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 20V 1A	Einzelheiten
CTLDM7590 TR	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8	Einzelheiten